Выбор редакции

Fujitsu в три раза повышает выходную мощность нитрид-галлиевых транзисторов

Для увеличения области наблюдения радара необходимо увеличить выходную мощность транзисторов, используемых в его усилителях. Но в этом случае подача высокого напряжения может повредить кристаллы, которые образуют транзистор. Ученые компании Fujitsu разработали кристаллическую структуру, которая увеличивает силу тока и напряжение нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов с высокой подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor, HEMT), в три раза повышая выходную мощность транзисторов, используемых в микроволновых передатчиках. Подробнее о разработке новой технологии мы расскажем в статье.


Читать дальше →
НОВОСТИ ПО ТЕМЕ